藍寶石基底矽晶薄膜：在次世代無線網路中的價值正不斷提昇

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　　藍寶石基底矽晶薄膜：在次世代無線網路中的價值正不斷提昇

在導入新的無線通訊標準後，將迫使射頻前端元件製造商建構具有較高線性度的產品。藍寶石基底矽晶薄膜（Silicon-on-sapphire，SOS）元件在此領域上表現相當突出，這要歸功於我們的UltraCMOS製程和加速的技術藍圖，而相對於已知如砷化鎵（GaAs）等具競爭力的技術，其效能上的差距預期仍將繼續擴大，Peregrine半導體公司的Rodd Novak指出。

無線網路營運商仍不斷地追求更高的效率、更快的數據傳輸率和更低的延遲。他們的這些追求引導他們導入數據傳輸的新計劃。其中最近的是4G長期演進（LTE）行動通訊標準，其在世界各地正被廣泛地採用。美國顯著比例的營運商已經快速地部署 LTE 標準，而在歐洲、中國和世界其它各地也不會落後太多。

4G LTE網路的導入帶來了一些技術上的挑戰，其影響了許多用於使用者終端設備（UE）上的射頻前端元件（RFFE），例如功率放大器 (PA)、濾波器、天線、以及切換器（switch）等。這些元件必須要進行調整和改進，以提供具有高隔離性與高線性度之更小、集積度更高的RFFE元件，以跟上UE和對應的基礎設施進步的腳步。

而運用傳統化合物半導體技術也是可能解決所有這些要求。然而，還有另一種替代方法。藍寶石基底矽晶薄膜製程－是一種絕緣層上覆矽（SOI）技術的先進形式－使RFFE元件具有可微縮的整合性、一致的效能，並擁有最被廣泛運用的半導體技術－CMOS的好處。此外，SOS製程具有和GaAs相等或更好的RF效能。

位於加州聖地牙哥的Peregrine半導體公司，擁有一種SOS技術專利－UltraCMOS－這是一種SOI製程的先進形式。UltraCMOS技術含括了在藍寶石晶圓上形成一層薄的矽晶膜層。這個基礎架構吸引了IC和製程設計人員，因為藍寶石是一種近乎完美的絕緣體－它能夠消除幾乎所有塊體單晶矽會有的寄生電容和漏電流。這項技術對運用於行動電話的RFFE元件的RF切換和天線調諧功能是非常有價值的。目前已經出貨超過10億個UltraCMOS產品並運用在UE的RFFE中。

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這是本區第3篇貼文　　貼文時間: 2014年4月23日星期三 12時7分9秒　　　小編：MagicLin in 新竹市 歡喜貼文

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